RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Porównaj
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB vs Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Wynik ogólny
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
47
Wokół strony -34% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.7
11.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.1
9.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
47
35
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
9.2
12.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
25600
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2323
3045
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112S64CP6
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link