RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
20
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
17.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
77
Wokół strony -305% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
19
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
20.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
17.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
3499
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
INTENSO 5641152 4GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Zotac Technology Ltd OD48G32S816-ZHC 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3400C16 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link