RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
Porównaj
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
Wynik ogólny
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Wynik ogólny
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
31
Wokół strony 16% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
12.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.3
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
31
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
12.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2174
2316
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link