RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Porównaj
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Wynik ogólny
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
34
Wokół strony 24% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.3
12.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.5
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
34
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2174
3606
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHMB 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9905624-009.A00G 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMD64GX4M4C3200C16 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9905713-001.A00G 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M8X4133C19 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link