RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Сравнить
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB против Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
-->
Средняя оценка
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
34
Около 24% меньшая задержка
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.3
12.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.5
9.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
34
Скорость чтения, Гб/сек
12.6
17.3
Скорость записи, Гб/сек
9.5
14.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2174
3606
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHA0 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Kingston 9965516-031.A00LF 16GB
Kingston 9965516-071.A00LF 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston CBD32D4S2D8HD-16 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link