RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
Сравнить
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB против Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
-->
Средняя оценка
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
29
Около 10% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
20.6
12.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
17.5
9.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
29
Скорость чтения, Гб/сек
12.6
20.6
Скорость записи, Гб/сек
9.5
17.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2174
3936
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston CBD32D4S2D8HD-16 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Avant Technology J642GU42J9266NF 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMR16GX4M2C3600C18 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMK128GX4M4D3600C18 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link