RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Porównaj
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Wynik ogólny
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Wynik ogólny
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
26
Wokół strony -44% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
21.4
12.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
18.5
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
18
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
21.4
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
18.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2174
3625
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-3000 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 9905701-018.A00G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link