RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMU16GX4M2C3200C16 8GB
Porównaj
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Corsair CMU16GX4M2C3200C16 8GB
Wynik ogólny
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Wynik ogólny
Corsair CMU16GX4M2C3200C16 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
27
Wokół strony 4% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Corsair CMU16GX4M2C3200C16 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.2
12.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.3
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMU16GX4M2C3200C16 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
27
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
19.2
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
15.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2174
3584
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Corsair CMU16GX4M2C3200C16 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMU16GX4M2C3200C16 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston CBD24D4S7D8ME-16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK16GX4M2A2400C16 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905700-025.A00G 8GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Ramaxel Technology RMUA5180ME78HBF-2666 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link