RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Porównaj
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Wynik ogólny
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
870.4
11.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
87
Wokół strony -263% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
87
24
Prędkość odczytu, GB/s
3,155.6
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
870.4
11.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
417
2534
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMK128GX4M8B3200C16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CMD32GX4M2C3200C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Kingston 9905663-005.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link