RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Porównaj
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
49
Wokół strony -69% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.8
10
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.2
8.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
29
Prędkość odczytu, GB/s
10.0
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
12.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2116
2865
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston 9905744-024.A00G 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Roa Logic BV iGame DDR4 8G 3000 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link