RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
Porównaj
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
Wynik ogólny
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
17
26
Wokół strony -53% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.8
12.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.8
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
17
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
20.8
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
16.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2174
3623
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston 9965640-008.A01G 32GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX2133D464L15S/8G 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston HP24D4U7S8MD-8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link