RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
Porównaj
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
Wynik ogólny
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
17
27
Wokół strony -59% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.8
16.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.8
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
17
Prędkość odczytu, GB/s
16.7
20.8
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
16.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
19200
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2756
3623
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB Porównanie pamięci RAM
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
G Skill Intl F3-1600C9-8GXM 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston 9905665-021.A00G 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3466C16 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARC0B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Ramaxel Technology RMSA3330ME88HCF-3200 32GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link