RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
Porównaj
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
Wynik ogólny
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
32
Wokół strony 19% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.5
12.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.6
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
32
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
11.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2174
2920
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9905630-052.A00G 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
EVGA 8GX-D4-2800-MR 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FHD 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston K821PJ-MID 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CM4X16GC3000C15D4 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston KHX2666C13D4/8GX 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link