RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
Porównaj
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
Wynik ogólny
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
34
Wokół strony 24% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.4
12.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.9
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
34
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
11.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2174
2780
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
G Skill Intl F3-1600C11-8GIS 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Apacer Technology 78.D1GMM.AU10B 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F3-2133C10-8GSR 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston X75V1H-MIE 32GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link