RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Porównaj
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Wynik ogólny
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
27
Wokół strony 4% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
22.7
12.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.9
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
27
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
22.7
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
14.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2174
3861
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston 9905625-075.A00G 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMK64GX4M2C3200C16 32GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston 9905702-029.A00G 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link