RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Porównaj
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Wynik ogólny
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
22.7
16.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.9
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
27
Prędkość odczytu, GB/s
16.7
22.7
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
14.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
17000
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2756
3861
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 36JSF2G72PZ-1G6E1 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 9905598-026.A00G 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMSO16GX4M1A2133C15 16GB
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link