RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Porównaj
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Wynik ogólny
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
32
Wokół strony 19% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.1
12.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.6
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
32
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
17.1
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
16.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2174
3742
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Kingston 9905625-036.A00G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston 9905712-010.A00G 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link