RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Comparar
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Pontuação geral
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
32
Por volta de 19% menor latência
Razões a considerar
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.1
12.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
16.6
9.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
32
Velocidade de leitura, GB/s
12.6
17.1
Velocidade de escrita, GB/s
9.5
16.6
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2174
3742
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Comparações de RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FR 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Kingston 99U5678-029.A00G 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link