RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Porównaj
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Wynik ogólny
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Wynik ogólny
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
26
Wokół strony -8% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.1
12.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.8
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
24
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
17.1
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2174
3257
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD2 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD2 4GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C16 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Transcend Information JM1600KLN-4GK 2GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link