RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Porównaj
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Wynik ogólny
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Wynik ogólny
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
31
Wokół strony 16% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.5
12.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.9
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
31
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
11.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2174
3033
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Hewlett-Packard 7EH55AA# 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBD2 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link