RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Porównaj
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Wynik ogólny
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Wynik ogólny
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
49
Wokół strony 47% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.6
10.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.5
8.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
49
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
10.8
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
8.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2174
2302
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180X 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK16GX4M2D2400C14 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link