RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Porównaj
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Wynik ogólny
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Wynik ogólny
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
49
Wokół strony 47% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.6
10.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.5
8.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
49
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
10.8
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
8.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2174
2302
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 99U5702-025.A00G 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston 99U5625-015.A00G 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link