RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Confronto
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Punteggio complessivo
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Punteggio complessivo
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
49
Intorno 47% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
12.6
10.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.5
8.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
49
Velocità di lettura, GB/s
12.6
10.8
Velocità di scrittura, GB/s
9.5
8.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2174
2302
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7Z0B 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVSB 8GB
Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Kingmax Semiconductor FSFF65F-C8KL9 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C15 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
Segnala un bug
×
Bug description
Source link