RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Porównaj
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Wynik ogólny
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
38
Wokół strony 32% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.9
12.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.5
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
38
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
13.9
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
10.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2174
2400
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMZ16GX3M4A1600C9 4GB
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZR 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Kingston 99U5734-014.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link