RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Porównaj
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Wynik ogólny
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
38
Wokół strony 29% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
10.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
38
Prędkość odczytu, GB/s
16.7
13.9
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
10.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
17000
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2756
2400
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Kingston 9965669-008.A03G 16GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston HP32D4S2S8ME-16 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 99U5402-030.A01LF 2GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link