RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905702-017.A00G 8GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Kingston 9905702-017.A00G 8GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
Kingston 9905702-017.A00G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
32
Wokół strony 22% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
15.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston 9905702-017.A00G 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.1
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905702-017.A00G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
32
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
11.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
2801
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905702-017.A00G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905702-017.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BUYS 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link