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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905702-017.A00G 8GB
比较
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Kingston 9905702-017.A00G 8GB
总分
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
总分
Kingston 9905702-017.A00G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
32
左右 22% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.1
15.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9905702-017.A00G 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
11.1
10.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905702-017.A00G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
32
读取速度,GB/s
16.1
15.4
写入速度,GB/s
10.1
11.1
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2764
2801
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM的比较
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905702-017.A00G 8GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0C 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMW32GX4M2D3000C16 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9965662-008.A01G 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
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