RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Porównaj
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Wynik ogólny
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
27
Wokół strony 4% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15
12.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.9
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
27
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
10.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2174
2288
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston 9905599-020.A00G 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 9905678-058.A00G 4GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Kingston 9965669-008.A03G 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMW128GX4M8C3000C16 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMK64GX4M4D3600C18 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link