ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB против Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB

-->

Средняя оценка

ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB

ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB

Средняя оценка

Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB

Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB

Причины выбрать
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

26 27

Около 4% меньшая задержка

Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB

Причины выбрать
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

15 12.6

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

10.9 9.5

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 12800

Около 1.5 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB

Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

26 27
Скорость чтения, Гб/сек

12.6 15.0
Скорость записи, Гб/сек

9.5 10.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 19200

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2174 2288

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB

Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB

Kingston 9965657-011.A00G 16GB

Kingston 9965657-011.A00G 16GB

модули RAM

Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB

Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB

Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB

Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB

модули RAM

Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB

Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB

Corsair CMK8GX4M1D2400C14 8GB

Corsair CMK8GX4M1D2400C14 8GB

модули RAM

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB

G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB

модули RAM

Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB

Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB

Kingston 9965589-005.A01G 8GB

Kingston 9965589-005.A01G 8GB

модули RAM

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB

Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB

модули RAM

Kingston 9965433-034.A00LF 4GB

Kingston 9965433-034.A00LF 4GB

Corsair CMK64GX4M2C3200C16 32GB

Corsair CMK64GX4M2C3200C16 32GB

модули RAM

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB

G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB

модули RAM

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB

модули RAM

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Corsair CMD32GX4M4B3200C16 8GB

Corsair CMD32GX4M4B3200C16 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-090.A01LF 4GB

Kingston 9905403-090.A01LF 4GB

Kingston KHX3466C16D4/8GX 8GB

Kingston KHX3466C16D4/8GX 8GB

модули RAM

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB

Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB

модули RAM

Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB

Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB

Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB

Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB

модули RAM

Kingston K531R8-MIN 4GB

Kingston K531R8-MIN 4GB

Corsair CMU32GX4M2C3000C15 16GB

Corsair CMU32GX4M2C3000C15 16GB

модули RAM