RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Porównaj
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Wynik ogólny
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
33
Wokół strony 21% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.9
12.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.4
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
33
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
16.9
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
10.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2174
3035
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CMW32GX4M2D3000C16 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C13 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link