RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Porównaj
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Wynik ogólny
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.4
12.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.7
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
26
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
17.4
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
11.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2174
2806
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C16 4GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CMK64GX4M4B2800C14 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C12 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905678-007.A00G 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link