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ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Confronto
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Punteggio complessivo
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
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Motivi da considerare
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
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Motivi da considerare
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.4
12.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.7
9.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
26
Velocità di lettura, GB/s
12.6
17.4
Velocità di scrittura, GB/s
9.5
11.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2174
2806
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
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SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston 9905744-011.A00G 32GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
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