RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
Porównaj
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
Wynik ogólny
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
48
Wokół strony 46% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.6
10.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.5
7.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
48
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
10.2
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
7.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2174
2190
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KP223C-ELD 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Jinyu 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Maxsun MSD44G24Q0 4GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMW32GX4M2Z2933C16 16GB
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1600C7 8GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Kingston 9905700-097.A00G 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link