RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Porównaj
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Wynik ogólny
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
35
Wokół strony 26% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15
12.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
35
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2174
2654
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2BQ2 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9905702-014.A00G 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
Corsair CMK64GX4M2A2666C16 32GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link