RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Porównaj
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Wynik ogólny
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Wynik ogólny
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.6
12.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.5
6.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
26
Wokół strony -4% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
25
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
12.5
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
6.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2174
1858
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Super Talent F24SB8GH 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-2933C16-8GFX 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC5N-DI 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CM4X8GE2666C16K4 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14M 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3000C15 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link