RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Porównaj
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Wynik ogólny
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Wynik ogólny
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.6
12.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.5
6.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
26
Wokół strony -4% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
25
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
12.5
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
6.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2174
1858
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FE 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK64GX4M2C3200C16 32GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Lenovo 16GB
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4W.M16FE1 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link