RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Porównaj
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
56
Wokół strony -75% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
1,813.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
56
32
Prędkość odczytu, GB/s
4,387.7
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,813.5
11.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
693
2960
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston KHX2400C1C14/16G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link