RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Porównaj
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Wynik ogólny
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Wynik ogólny
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
27
Wokół strony 4% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.2
12.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.3
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
27
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
18.2
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
15.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2174
3628
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C16 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C14 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-TF 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link