RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Porównaj
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Wynik ogólny
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Wynik ogólny
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
32
Wokół strony 19% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.6
9.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.5
8.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
32
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
9.8
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
8.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2174
2271
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905678-005.A00G 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMK32GX4M4B2800C14 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link