RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Porównaj
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Wynik ogólny
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
35
Wokół strony 26% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.5
9.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.1
12.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
35
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
9.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2174
2488
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Corsair MK16GX44B3000C15 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingston 9905599-026.A00G 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Kingston 9965596-002.B00G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link