RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Porównaj
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Wynik ogólny
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
52
Wokół strony -49% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15
9.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.4
7.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
14900
Wokół strony 1.29 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
52
35
Prędkość odczytu, GB/s
9.7
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
7.2
10.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
14900
19200
Other
Opis
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-10-9-28 / 1866 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2173
2672
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB Porównanie pamięci RAM
Team Group Inc. Dark-1866 4GB
Mushkin 994104 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHMB 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 99U5665-004.A00G 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMR32GX4M4D3000C16 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMK128GX4M4A2666C16 32GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
Ramos Technology EEB8GB681CAE-16IC 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link