RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Porównaj
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Wynik ogólny
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
33
Wokół strony 21% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.6
10.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.5
5.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
33
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
10.4
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
5.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2174
1806
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Apacer Technology 78.C2GF2.AU00B 8GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Corsair CMK64GX4M2D3000C16 32GB
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Kingston 99U5711-001.A00G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9905625-152.A00G 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link