RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Porównaj
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Wynik ogólny
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Wynik ogólny
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
31
Wokół strony 16% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.5
12.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.6
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
31
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
13.5
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
10.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2174
2330
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMK64GX4M2A2666C16 32GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBR 16GB
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C14 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Kingston 9905678-121.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link