RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Porównaj
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB vs SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Wynik ogólny
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
32
Wokół strony 28% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
11.6
11.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.2
5.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
23
32
Prędkość odczytu, GB/s
11.6
11.1
Prędkość zapisu, GB/s
5.6
9.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1751
2449
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB Porównanie pamięci RAM
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
takeMS International AG TMS4GB364E081139EM 4GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3866C18 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 9965640-015.A00G 32GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link