RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Porównaj
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Wynik ogólny
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
34
Wokół strony 24% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.7
12.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.9
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
34
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
11.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2174
2803
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Micron Technology 36JSF1G72PZ-1G6K1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905701-010.A00G 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMW128GX4M8C3200C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link