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ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
比较
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
总分
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
总分
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
34
左右 24% 更低的延时
需要考虑的原因
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.7
12.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.9
9.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
34
读取速度,GB/s
12.6
15.7
写入速度,GB/s
9.5
11.9
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2174
2803
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB RAM的比较
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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMD64GX4M4C3200C16 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
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