RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
Porównaj
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
Wynik ogólny
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
35
Wokół strony 26% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.7
12.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.4
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
35
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
11.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2174
2768
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3300C16 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Corsair CMK32GX4M2K4133C19 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link