RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
Porównaj
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
Wynik ogólny
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
40
Wokół strony 35% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.6
9.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.5
6.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
40
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
9.1
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
6.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2174
1764
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRK 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Kingston 9905743-034.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link