RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB vs SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
65
66
Wokół strony 2% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
7.9
4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.0
2,451.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
66
Prędkość odczytu, GB/s
4,605.9
7.9
Prędkość zapisu, GB/s
2,451.8
7.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
878
1862
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHMB 16GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link