RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Porównaj
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Wynik ogólny
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Wynik ogólny
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.5
8.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.3
12.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
26
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
14.3
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
8.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2174
2633
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Essencore Limited KD48GS88J-26N1900 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK64GX4M4D3600C18 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link