RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Porównaj
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB vs Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
37
Wokół strony -6% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.2
9.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
7.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
14900
Wokół strony 1.72 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
35
Prędkość odczytu, GB/s
9.8
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
7.2
12.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
14900
25600
Other
Opis
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
9-10-9-28 / 1866 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2065
3242
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB Porównanie pamięci RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR4A-H9 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905701-143.A00G 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8GKSBG 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMK32GX4M4K4000C19 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link