RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Compara
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB vs Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Puntuación global
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Puntuación global
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
37
En -6% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.2
9.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.5
7.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
14900
En 1.72 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
37
35
Velocidad de lectura, GB/s
9.8
16.2
Velocidad de escritura, GB/s
7.2
12.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
14900
25600
Other
Descripción
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
9-10-9-28 / 1866 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2065
3242
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR4A-H9 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston KHX2933C17S4/32G 32GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF-2400 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston KHX2400C15S4/16G 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CM4X4GF2666C16K4 4GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Kingston 9905598-028.A00G 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link